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ANSI/IEEE C57.12.01-2005 包括固体浇铸和/或树脂密封绕组的干式配电和电力变压器的标准.一般要求

作者:标准资料网 时间:2024-05-03 15:26:44  浏览:9505   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:StandardGeneralRequirementsforDry-TypeDistributionandPowerTransformersIncludingThosewithSolid-Castand/orResinEncapsulatedWindings
【原文标准名称】:包括固体浇铸和/或树脂密封绕组的干式配电和电力变压器的标准.一般要求
【标准号】:ANSI/IEEEC57.12.01-2005
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2006-04-21
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:IEEE
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:设计;干式变压器;电气工程;电气安全;电力变压器;防电击;额定值;安全要求;短路特性;短路保护;短路强度;规范(验收);试验;公差(测量);变压器
【英文主题词】:Design;Dry-typetransformers;Electricalengineering;Electricalsafety;Powertransformers;Protectionagainstelectricshocks;Ratings;Safetyrequirements;Short-circuitperformance;Short-circuitprotection;Short-circuitstrength;Specification(approval);Testing;Tolerances(measurement);Transformers
【摘要】:Electrical,mechanical,andsafetyrequirementsofventilated,non-ventilated,andsealeddry-typedistributionandpowertransformersorautotransformers(singleandpolyphase,withavoltageof601Vorhigherinthehighestvoltagewinding)aredescribed.
【中国标准分类号】:K41
【国际标准分类号】:29_180
【页数】:
【正文语种】:英语


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基本信息
标准名称:制冷机组及供制冷系统节能测试 第1部分:冷库
英文名称:Monitoring and testing method for energy conservation of refrigerating systems—Part 1:Cold storage systems
中标分类: 能源、核技术 >> 能源、核技术综合 >> 技术管理
ICS分类: 能源和热传导工程 >> 能源和热传导工程综合
替代情况:替代GB/T 15912-1995
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-05-01
首发日期:1995-12-20
作废日期:
主管部门:全国能源基础与管理标准化技术委员会
提出单位:全国能源基础与管理标准化技术委员会
归口单位:全国能源基础与管理标准化技术委员会
起草单位:京工业大学、中国标准化研究院、北京制冷学会、北京市东方友谊食品配送公司等
起草人:李红旗、成建宏、孙大琪、唐俊杰、聂美清、白滨、马进、徐庆磊、谢滢、丁卫列、李援朝
出版社:中国标准出版社
出版日期:2010-05-01
页数:12页
计划单号:20061812-T-469
适用范围

GB/T15912的本部分规定了采用制冷压缩机(机组)、冷凝器、蒸发器及附件、管路等独立零部件在用户现场安装的制冷系统的节能监测内容和节能测试方法。
本部分适用于储存空间大于500m3 的冷冻、冷藏库(以下简称冷库)。
本部分不适用于山洞冷库、石拱覆土冷库、地下、半地下冷库以及冷库的冷却间和冻结间。

前言

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引用标准

下列文件中的条款通过GB/T15912的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
GB/T18517 制冷术语

所属分类: 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理 能源和热传导工程 能源和热传导工程综合
基本信息
标准名称:半导体分立器件 3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
中标分类: 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理
发布部门:中国电子工业总公司
发布日期:1992-11-19
实施日期:1993-05-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
提出单位:中国电子工业总公司科技质量局
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
起草人:王长福、王承琳、谢佩兰
出版社:电子工业出版社
出版日期:1993-04-01
页数:9页
适用范围

本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

前言

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引用标准

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法

所属分类: 综合 标准化管理与一般规定 技术管理